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基于KEITHLEY2600源表MOSFET場效應管特性分析

日期：2014-07-03瀏覽：2340次

基于美國吉時利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表的MOSFET場效應晶體管特性分析解決方案

半導體微米，納米制造技術(shù)、工藝和電特性分析涉及到制造、分析和評估各種半導體器件，例如二極管、雙極晶體管和場效應晶體管、無源元件乃至集成電路器件。為了簡單、快速地測量二極管、晶體管、運放等有源器件和的半導體器件結(jié)構(gòu)，上海堅融實業(yè)推出了基于美國吉時利KEITHLEY2600系列數(shù)字源表的MOSFET場效應晶體管特性分析解決方案。吉時利的2400系列SourceMeter儀器和2600系列數(shù)字源表在一臺儀器中集成了精密電源、真電流源和 DMM 等多種測試功能。2600 系列還包含任意波形發(fā)生器、帶測量功能的電壓或電流脈沖發(fā)生器、電子負載和觸發(fā)控制器。當設計和試驗低電阻、低功耗半導體器時，管理電源對于防止器件損壞而言至關(guān)重要。分析現(xiàn)代材料、半導體和納米電子元件的電阻需要輸出極低電流和測量極低電壓的能力。吉時利的 delta 模式 (電流反轉(zhuǎn)極性) 電阻測量功能結(jié)合了 6220 或 6221 的低電流 DC 源能力以及2182A 的低壓測量精度，從而非常適合于低阻測量 (低至 10 nΩ) 適于分析導通電阻參數(shù)、互連和低功率半導體。

亞微米集成 MOSFET
輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強或耗盡)，溝道長度調(diào)制參數(shù)(λ) 在飽和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效溝道長度與 VDS 的關(guān)系。

襯底偏壓特性：
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
傳輸特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k. Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.

襯底電流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
亞閾值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.

雙極結(jié)型晶體管
正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對于幾個 Vce 正值。
正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
Βf 與 log(Ic) 的關(guān)系：低注入和高注入的效果。
非理想特性：爾利電壓。
反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對于幾個Vce負值。
反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
Βr 與 log(Ie) 的關(guān)系：低注入和高注入的效果。
Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對于給定的 Ib 電流。
Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實驗做比較。
BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析?；鶇^(qū)摻雜濃縮。

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